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Diodes公司完整型號：DMG8601UFG-7

制造廠家名稱：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

系列：-

FET 類型：2 N 溝道（雙）共漏

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6.1A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：23 毫歐 @ 6.5A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.8nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：143pF @ 10V

功率 - 最大值：920mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-UDFN 裸露焊盤

供應(yīng)商器件封裝：8-UDFN3030