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Diodes公司完整型號：DMN10H170SFG-13

制造廠家名稱：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：2.9A（Ta），8.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：122 毫歐 @ 3.3A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14.9nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：870.7pF @ 25V

功率 - 最大值：940mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerVQFN

供應(yīng)商器件封裝：PowerDI3333-8