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Infineon英飛凌公司完整型號：BSP295E6327T

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

系列：SIPMOS

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：1.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 1.8A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 400μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：368pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商器件封裝：PG-SOT223-4