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Infineon英飛凌公司完整型號(hào): IPB180P04P4L02ATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

系列: OptiMOS?

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）: 40V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 180A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 2.4 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 410μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 286nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 18700pF @ 25V

功率 - 最大值: 150W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-3