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Infineon英飛凌公司完整型號(hào): IPD50R650CEATMA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

系列: CoolMOS CE

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 500V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 6.1A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 650 毫歐 @ 1.8A，13V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 150μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 15nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 342pF @ 100V

功率 - 最大值: 47W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO252-3