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ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): NGTB10N60R2DT4G

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: IGBT 10A 600V DPAK

系列: -

IGBT 類型: -

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 600V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 20A

脈沖電流 - 集電極 (Icm): 40A

不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，10A

功率 - 最大值: 72W

開(kāi)關(guān)能量: 412μJ（開(kāi)），140μJ（關(guān)）

輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷: 53nC

25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值: 48ns/120ns

測(cè)試條件: 300V，10A，30 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）: 90ns

封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

安裝類型: 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝: DPAK