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ON安森美半導體完整型號：NGTB30N60SWG

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 60A 189W TO247

系列：-

IGBT 類型：溝道和場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.2V @ 15V，30A

功率 - 最大值：189W

Switching Energy：750μJ（開）， 540μJ（關）

輸入類型：標準

Gate Charge：90nC

25°C 時 Td（開/關）值：57ns/109ns

Test Condition：400V, 30A, 10 歐姆, 15V

反向恢復時間 (trr)：200ns

封裝/外殼：TO-247-3

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247